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STGW60V60DF ST Microelectronics (意法半导体) IGBT晶体管

发布日期:2023-09-09 19:53:13浏览次数:329
STGW60V60DF
ST Microelectronics (意法半导体)
IGBT晶体管
600V,60A高速截止型IGBT

技术参数
针脚数3
耗散功率375 W
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间74 ns
额定功率(Max)375 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)375 W
封装参数
安装方式Through Hole
引脚数3
封装TO-247-3
外形尺寸
长度15.75 mm
宽度5.15 mm
高度20.15 mm
封装TO-247-3
物理参数
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)



0755-2101 2187